最近，夏普在顯示器技術國際學會“16th International Display Workshops（IDW ’09）”的氧化物TFT分會上，發布了其首次試制的氧化物TFT液晶面板技術，并在開發者見面會（Authors interview）上演示2.6英寸QVGA（320×240像素）面板。
    TFT結構為傳統的反向通道蝕刻（Back Channel Etch）型。氧化物半導體采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。 
    特性偏差方面，通過對320mm×400mm底板上的21個點進行測量，遷移率μ＝13.4±0.9cm2/Vs（σ＝0.5），閾值電壓Vth＝3.0±0.4V（σ＝0.2）。對于人們關心的可靠性，夏普稱基于DC偏壓應力的Vth偏移在25℃下為非晶硅（a-Si）TFT的1/4左右程度，在85℃下是其1/10左右。基于脈沖偏壓的Vth偏移在60℃下為a-Si TFT的70％左右。該公司稱，作為液晶面板工作時，在60℃條件下，其TFT特性1000小時內不會發生變化。