加州圣荷西和愛達荷州博伊西，2014年2月25日(GLOBE NEWSWIRE); 致力于為混合存儲器立方體(HMC)技術開發和制定行業標準接口規范的混合存儲器立方體聯盟(HMCC)今日宣布：其將繼續致力于建立HMC生態環境，并通過制定新的接口規范以支持本行業采用該項突破性技術。HMCC今日還向該聯盟的采納廠商發布了該規范的第一版初稿，該聯盟的成員不斷在增加，目前已有120多位。該 新規范支持提高數據傳輸速率，使其短距傳輸(SR)性能從10Gb/s、12.5Gb/s和15Gb/s提高到30Gb/s。該新規范還將相關的通道模式從SR遷移至甚短距傳輸（VSR），以便與現有行業術語保持一致。超短距傳輸(USR)的定義也將速度性能從10Gb/s提高至15Gb/s。

　　HMCC由Micron Technology、 Samsung Electronics、和SK hynix等領先存儲器供應商所創立，目前已將該規范初稿送至各采納廠商廣泛流傳，以期綜合各位成員的意見，并計劃2014年5月完成終稿。第一代規范并于2013年4月公開發表；一些參與制定和采納該規范的公司，包括Altera、Xilinx、和Open-Silicon已開始采用該規范設計使用HMC技術的產品和解決方案。

　　采用HMC第二代規范，設計師就能從我們的UltraScale FPGA架構中提取出更高的性能，Xilinx產品組合和解決方案營銷副總裁Hugh Durdan說。我們目前正在發運的UltraScale設備已設計為支持該規范，以便向高帶寬用于市場提供風險更低、速度更高的產品。

　　第二代HMC規范使接口的數據傳輸速率提高一倍，這使得系統設計師能利用下一代20納米和14納米FPGA以及SoCs更容易地實現性能的提高，Altera產品營銷高級總監Patrick Dorsey說。我 們很早就開始提供評估板，并演示證明了HMC設備和FPGA之間的互操作性，使客戶立即就能開始評估 和開發基于HMC的高性能系統。

　　該聯盟是由一群原始設備供應商、促進商和集成商密切合作的產物，這些廠商共同合作開發和實施關于由Micron開發的高性能存儲器解決方案HMC的開放接口標準。開發商成員Micron Technology, Inc.、Samsung Electronics Co., Ltd.、 Altera Corporation、 ARM、 IBM、 Microsoft Corporation、 Open-Silicon, Inc.、 SK hynix, Inc.和 Xilinx, Inc.正與采 納廠商直接合作以支持創建HMC的新市場和行業采納的整體需求 。

　　本行業突破性的HMC采用了先進的硅穿孔(TSV)技術，其通過垂直導管將一組單獨的芯片在電氣性相連接，以將高性能邏輯電路與動態隨機存取存儲器(DRAM)模具相結合。Micron正在提供第一 款商用HMC產品的樣品，該產品密度為2GB，存儲帶寬達空前的160GB/s，而每比特能耗比現有技術少70%，這大幅度地降低了客戶的總擁有成本。

　　DRAM的性能改進率和處理器數據消耗率之間的差距不斷地增大，而HMC已被行業領袖和有影 響人士視為解決該問題期盼已久的答案。HMC的性能代表著其性能、 封裝和能效等方面遠超于當前和近期的存儲器架構，與現有的存儲器技術有巨大的差別。